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三菱電機、GaN高周波トランジスタの動作安定化を実証

2026年11月13日 09時45分更新

 三菱電機株式会社は2026年11月9日に、窒化ガリウム(GaN)基板上にGaNの結晶層を形成した高周波トランジスタで、周波数分散の影響を解明し、その発生を大幅に抑えられることを実証したと発表した。周波数分散は、動作する周波数によって電流値などが変わる現象だ。同社は、GaN基板を使うトランジスタにおける結晶欠陥と周波数分散の関係を明らかにしたのは世界初としている。高周波機器に使うトランジスタの動作 …

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